报告时间：2026年5月17日上午9:30

报告地点：物质科研楼C601会议室  C601 Material Science Building   

报告人：  赵建华教授杭州北航自旋芯片与技术全国重点实验室

报告题目/Title: 高品质半导体自旋电子学材料与器件 

摘要/Abstract:

半导体自旋电子学是一门涉及了磁学、半导体物理、微电子和光电信息等多学科交叉的新兴前沿学科，旨在利用半导体中的电子自旋自由度实现数据存储、处理、传输和转化等功能，为未来信息技术发展提供全新途径。本报告将主要介绍报告人团队最近在高质量磁性半导体、铁磁/半导体异质结构这两类重要的半导体自旋电子学材料和器件物理效应方面的研究进展，以及在强自旋-轨道耦合的窄禁带半导体低维量子结构方面开展的工作。

报告人简介/Curriculum Vitae:

赵建华，1985、1988年吉林大学学士、硕士。1999年中科院物理所博士。1999-2002年中科院半导体所、日本东北大学博士后。2002-2024年9月中科院半导体所研究员。2015-2024年9月中国科学院大学岗位教授。2024年10月-至今杭州市北京航空航天大学国际创新研究院教授、自旋芯片与技术全国重点实验室首席科学家。长期从事半导体实验物理研究，在自旋电子学及低维半导体量子体系等方面取得了系统的创新性成果。迄今发表文章300余篇，获亚洲磁学联盟奖(AUMS Award)、中国物理学会黄昆物理奖、国家技术发明二等奖。科技部重大研究计划项目首席科学家。现任国际纯粹与应用物理学联合会（IUPAP）磁学专业委员会副主任、国际磁学与磁性材料顾问委员会委员（MMM Adcom）、香港研究资助局物理科学组成员、中国物理学会女物理工作者委员会委员，以及《中国科学》、《国家科学评论》、《物理》编委等职务。