报告时间：2025年7月1日 上午10：0 (10:00, July.1, 2025)

报告地点：物质科研楼A309会议室(Room A309, Material Science Building)

报告人: 余林蔚教授 南京大学

报告题目/Title:晶硅纳米线三维生长集成与高性能微纳电子器件探索

摘要/Abstract:

超细晶硅纳米线是实现高效场效应调控、抑制短沟道效应和降低漏电功耗的最理想准一维沟道结构，在探索新一代高性能围栅晶体管（GAA-FET）、薄膜晶体管（TFT）显示驱动、生物传感和硅基量子比特等前沿领域具有重要应用潜力。除了传统的“自上而下”高精度EUV/EBL光刻-刻蚀技术，探索一种基于“液滴催化”的晶硅纳米线可靠生长制备新路线具有重要意义。然而，传统催化生长模式大多只能产出随机朝向的竖直纳米线结构，故而难以在平面衬底上实现精准定位和规模集成。为此，我们提出了一种面内固-液-固（IPSLS）生长模式：利用非晶薄膜作为前驱体层，将纳米线生长完全限制在平面或曲面上。结合各种引导生长技术，可在低温（<350°C）下高效批量制备出规则排列的单晶品质、超细（CD<10 nm）晶硅纳米线沟道阵列，为突破光刻局限制备高性能GAA-FET器件、探索三维一体化集成新构架提供重要基础。此外，通过催化液滴的可控“台阶跳跃”动态，可直接生长制备出精细的同质/或异质岛-链结构，为探索新型单电子器件和自旋量子器件提供理想平台。

报告人简介/Curriculum Vitae:

余林蔚教授，南京大学电子科学与工程学院教授/博导，获国家杰出青年基金、国家海外高层次人才青年计划和江苏省杰出青年基金等人才项目资助。担任法国国家科学研究院终身职位研究员（CNRS-CR2），英国物理协会IOP《Nanotechnology》编委，国际非晶/纳米晶薄膜半导体会议（ICANS）国际常驻顾问委员会委员。在硅基纳米线生长制备和器件集成应用等领域的系列工作，以第一或通讯作者在Phys. Rev. Lett.、Nature Commun.等一流学术期刊上发表论文120余篇。获国际PCT发明授权专利3项和国内授权发明专利40项。主持承担多项自然科学基金“后摩尔时代重大研发计划”重点和面上项目、“量子通信与量子计算机”国家科技重大专项、江苏省双创个人及团队专项等项目，与华为终端、海思以及京东方等企业围绕相关科研成果启动多项重大“产学研”成果转化。2022年以第1完成人获教育部高等学校科学研究优秀成果“自然科学”二等奖。