报告时间：2024年10月15日 上午9:30

报告地点：物质楼A309会议室

报告题目：铌酸锂光子芯片

报告人：徐平研究员  中国人民解放军国防科技大学

报告摘要：

本报告主要介绍铌酸锂光子芯片的工艺和应用。报告分为两部分，第一部分对铌酸锂光子芯片进行基本特性介绍，第二部分概述铌酸锂光子芯片在量子信息领域的应用，包括开发量子光源整机等工程化开发以及在量子科技中的应用。本报告包含一个相对完整的研究链条：从基础物理到实验材料的选取，再到工艺开发，最后到应用研究，涉及材料、光学、微纳加工、量子科技等领域。

报告人简介：

中国人民解放军国防科技大学计算机学院量子信息研究研究员、博士生导师。中国光学学会理事、中国电子学会量子信息分会委员。南京大学学士、博士。2008年至2016年历任南京大学物理学院讲师、副教授、教授。2017年调入国防科技大学工作。徐平长期从事光量子芯片研究工作，研究兴趣为光量子芯片的工艺开发以及片上量子信息技术。建立光学超晶格中纠缠光子产生和调控的系统理论；实验验证单片周期极化晶体具有对纠缠光子产生、高维调控、分束、聚焦等多功能集成的能力；研制出国际上第一个铌酸锂光量子芯片，开发铌酸锂光子芯片工艺，形成芯片设计、加工、测试、光封装、电封装、整机封装等自主工艺。国家级人才项目、国家优秀青年基金、全国百篇优秀博士论文、湖南省科技领军人才获得者。获2020年教育部自然科学一等奖。2024年度陈嘉庚技术科学奖获得者，获奖原因为《铌酸锂光子芯片》。