报告时间/Time：2023年3月20日10:00 (10:00 a.m., March 20, 2023)

报告地点/Venue：物质科研楼C1602会议室(Room C1602, Material Science Building)

报告题目/Titile：非厄米异常点的非阿贝尔特性

报告摘要/Abstract：非厄米异常点（exceptional point）是非厄米物理中包括单向反/透射、单模激光、非互易相变及超灵敏传感器等各种有趣现象或应用的核心要素。尽管在过去二十年进行了广泛的研究，但仍然缺乏一个整体的理论框架来描述多个异常点/线之间的相互湮灭、合并、编织等物理过程。在这里，我们发展了基于同伦群的非厄米能带理论，并提出了一个普适的非阿贝尔守恒规则，用于描述多个异常点/线之间的相互作用。我们利用这个理论框架展示两个反直觉的物理现象，这些现象都是异常点/线的非阿贝尔特性的体现。首先，我们发现具有相反电荷的两个异常点当彼此靠近时不一定互相湮灭，更一般地取决于它们如何靠近；其次，我们发现非阿贝尔守恒规则对异常线的构型施加了严格限制，它排除了某些Hopf环结构的存在，取而代之的是一种新型的非对易错位环。我们通过具体的耦合声腔模型来说明以上这些有趣的现象。我们的理论为全面理解非厄米异常点的非阿贝尔拓扑奠定了基础，并为基于异常点的应用提供了新的思路。

报告人简介/Biography：胡海平，中科院物理研究所副研究员，博士生导师。2011年本科毕业于中国科学技术大学，2016年于中科院物理研究所获得博士学位。2016-2018年在德克萨斯大学达拉斯分校任博士后研究助理，导师为Chuanwei Zhang。2018-2021年在乔治梅森大学和匹兹堡大学任博士后研究助理，导师为Erhai Zhao和W. Vincent Liu。2021年9月加入中科院物理研究所。长期从事超冷原子物理、拓扑物态与量子模拟的理论研究，发表SCI论文近30 篇，其中5篇以第一作者发表于物理评论快报，代表性成果包括预言两类新型三度简并拓扑半金属、非厄米能带的拓扑分类与Floquet高阶拓扑绝缘体理论等。