报告时间：2026年3月20日下午15:30—17:00

报告地点：物质科研楼A309会议室   Room A309 Material Science Building

报告人： 王浩敏研究员中国科学院上海微系统与信息技术研究所

报告题目/Title: 穿透原子的壁垒：hBN中的氢、转角与量子之光

摘要/Abstract:

六角氮化硼（hBN）作为宽禁带二维原子晶体，是构筑二维电子光成开展了系统研究。在制备方面，发展出气-液-固生长方法，以熔融Fe₈₂B₁₈合金电器件的关键介电材料。近年来，我们围绕hBN的可控制备、物性调控及异质集和氮气为反应源，在蓝宝石衬底上实现了大面积、厚度可控、高质量多层hBN的均匀生长，为二维异质结构建提供了材料基础。在物性调控方面，发现锯齿型hBN纳米带边缘吸附水分子后可诱导强横电场，显著降低其带隙至1.17 eV，实现场效应晶体管开关比超过10³，首次实验验证了hBN纳米带的能带可调性。此外，通过等离子体处理发现，hBN独特的AA′堆叠方式使其对氢原子透明而对氢分子不可渗透，成功实现了氢气在hBN层间气泡中的隔离与存储，并可从碳氢化合物中提取氢气。在异质集成方面，发展出熔融辅助组装技术，实现了大面积、无污染、转角可控的石墨烯/hBN超晶格的精准构筑，为转角电子学与应用提供了新的技术路径。

报告人简介/Curriculum Vitae:

王浩敏，男，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员。

1999、2002年毕业于华中科技大学分别获工学学士和硕士学位。2009年于新加坡国立大学电气与电脑工程系获博士学位。2011年加入信息功能材料国家重点实验室，现任研究员。王浩敏研究员面向未来集成电路材料等国家重大需求持续创新，聚焦新型半导体异质材料及器件构筑的前沿研究取得了一系列原创成果。他提出气液固相策略制备高质量厚层h-BN晶圆；率先实现h-BN表面石墨烯取向外延及其纳米带（GNR）手性与磁性控制等突破；研制出国际首片工作磁场低至1.8T的量子电阻标准芯片（比对精度达5.3E-8），支撑国家计量院与上海计测院量子电阻标准装置小型化；实现了室温高性能低功耗GNR逻辑器件，其关键性能（迁移率及单元功耗）国际领先，并率先实现场控GNR磁性，在本领域形成国际影响力。他以第一/通讯作者发表了78篇学术论文，包括Nature Mater. 2篇，Nature Comm. 4篇，Nature Rev. Phys. 1篇等。他授权发明专利36项（排一），其中包括美、日发明专利各3项。主持KJW基础加强课题、基金委重大研究计划、面上项目、中科院先导课题、央企揭榜挂帅项目，参与国家重大专项和国家重点研发计划。曾获上海市东方英才（2024），上海市自然科学一等奖（2019，2/5），中科院优秀导师奖（2021），中国电子教育学会优秀导师奖（2021）等奖项。培养学生2人获得“中国科学院院长特别奖”。