报告题目：用光给微纳器件做B超: 超快声波脉冲的全光发射与测控

报告地点：物质科研楼C404

报告时间：2025年1月13日15:00-17:00

报告摘要：

集成电路、集成光路、集成光电子等器件及芯片是国家重大战略产业。在全球半导体产业变革浪潮的推动下，这类器件或芯片愈发呈现出超薄层厚、异质层叠的特征，形成了种类多样、结构复杂、纳米尺度的功能异质界面。如何无损准确地检测、监测这些界面的结构与功能，意义重大。虽然超快激光脉冲实现超高时间分辨成像的能力令人期待,但光波的本质限制了其空间分辨率和穿透力。超快激光脉冲与固体薄膜的相互作用所发射出的超快声波脉冲,兼具超短脉宽,纳米波长和大穿透深度的物理优势,是一种综合性能优异的超快光谱成像工具。我们提出采用二维异质结构作为超快声波脉冲的全光发射源和探测器,全光发射并探测超快声波脉冲，给微纳器件做B超的物理思想与技术路线，能解决多物理场耦合同步监测、隐藏界面高分辨评测等诸多难题。本报告将介绍我们在超快声波脉冲研究中的一些进展与思考,展望超快声波脉冲如何助推未来前沿超快光物理、学科交叉研究与应用。

个人简介：

崔乾楠，于美国堪萨斯大学取得物理学博士学位，现任东南大学电子学院学科交叉中心主任，副教授，博导。长期从事半导体科学与超快光谱技术的交叉研究，在半导体表界面光物理机制揭示、精密光谱技术体系构建、超高时空分辨光谱成像等领域，取得一批原创成果。在研国家自然科学基金重点、国家自然科学基金面上、江苏省前沿引领技术基础研究重大等科研项目及课题5项。