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报告人：杨妍，中国科学院微电子研究所研究员

报告时间：2021年3月12日 14:00

报告题目：3D硅基光电集成芯片技术与工艺

报告摘要：介绍超越摩尔时代的低功耗高速数据通信和互连技术方案—3D硅基光电集成芯片技术，及其在光通信和量子计算等领域的应用，以及在离子阱量子比特硅光芯片寻址与探测方面的合作研究进展。并介绍中科院微电子所硅光平台的设计与流片服务。

报告人简介：2015年博士毕业于新加坡南洋理工大学和IME A*STAR，曾任美国Inphi公司主任硅光研发工程师，入选中科院人才计划及择优支持。长期从事硅光器件与集成芯片研究，申请国际国内发明专利40余项，发表ACS Nano等期刊论文及光通信和光电封装顶会论文近40篇。